百度七乐彩中奖公式:詳解半導體的光刻工藝全過程

芯論 ? 2019-04-30 11:42 ? 次閱讀

8828彩票的押注公式 www.mjbrhs.com.cn 光刻工藝是半導體制造中最為重要的工藝步驟之一。主要作用是將掩膜板上的圖形復制到硅片上,為下一步進行刻蝕或者離子注入工序做好準備。光刻的成本約為整個硅片制造工藝的1/3,耗費時間約占整個硅片工藝的40~60%。

光刻機是生產線上最貴的機臺,5~15百萬美元/臺。主要是貴在成像系統(由15~20個直 徑為200~300mm的透鏡組成)和定位系統(定位精度小于10nm)。其折舊速度非???,大約3~9萬人民幣/天,所以也稱之為印鈔機。光刻部分的主 要機臺包括兩部分:軌道機(Tracker),用于涂膠顯影;掃描曝光機(Scanning )

光刻工藝的要求:光刻工具具有高的分辨率;光刻膠具有高的光學敏感性;準確地對準;大尺寸硅片的制造;低的缺陷密度。

光刻工藝過程

一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。

1、硅片清洗烘干(Cleaning and Pre-Baking)

方法:濕法清洗+去離子水沖洗+脫水烘焙(熱板150~2500C,1~2分鐘,氮氣?;ぃ?/p>

目的:a、除去表面的污染物(顆粒、有機物、工藝殘余、可動離子);b、除去水蒸氣,是基底表面由親水性變為憎水性,增強表面的黏附性(對光刻膠或者是HMDS-〉六甲基二硅胺烷)。

2、涂底(Priming)

方法:a、氣相成底膜的熱板涂底。HMDS蒸氣淀積,200~2500C,30秒鐘;優點:涂底均勻、避免顆粒污染;b、旋轉涂底。缺點:顆粒污染、涂底不均勻、HMDS用量大。

目的:使表面具有疏水性,增強基底表面與光刻膠的黏附性。

3、旋轉涂膠(Spin-on PR Coating)

方法:a、靜態涂膠(Static)。硅片靜止時,滴膠、加速旋轉、甩膠、揮發溶劑(原光刻膠的溶劑約占65~85%,旋涂后約占10~20%);

b、動態(Dynamic)。低速旋轉(500rpm_rotation per minute)、滴膠、加速旋轉(3000rpm)、甩膠、揮發溶劑。

決定光刻膠涂膠厚度的關鍵參數:光刻膠的黏度(Viscosity),黏度越低,光刻膠的厚度越??;旋轉速度,速度越快,厚度越??;

影響光刻膠厚度均運性的參數:旋轉加速度,加速越快越均勻;與旋轉加速的時間點有關。

一般旋涂光刻膠的厚度與曝光的光源波長有關(因為不同級別的曝光波長對應不同的光刻膠種類和分辨率):

I-line最厚,約0.7~3μm;KrF的厚度約0.4~0.9μm;ArF的厚度約0.2~0.5μm。

4、軟烘(Soft Baking)

方法:真空熱板,85~120℃,30~60秒;

目的:除去溶劑(4~7%);增強黏附性;釋放光刻膠膜內的應力;防止光刻膠玷污設備;

邊緣光刻膠的去除(EBR,Edge Bead Removal)。光刻膠涂覆后,在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,不能得到很好的圖形,而且容易發生剝離(Peeling)而影響其它部分的圖形。所以需要去除。

方法:a、化學的方法(Chemical EBR)。軟烘后,用PGMEA或EGMEA去邊溶劑,噴出少量在正反面邊緣出,并小心控制不要到達光刻膠有效區域;b、光學方法(Optical EBR)。即硅片邊緣曝光(WEE,Wafer Edge Exposure)。在完成圖形的曝光后,用激光曝光硅片邊緣,然后在顯影或特殊溶劑中溶解

5、對準并曝光(Alignment and Exposure)

對準方法:a、預對準,通過硅片上的notch或者flat進行激光自動對準;b、通過對準標志(Align Mark),位于切割槽(Scribe Line)上。另外層間對準,即套刻精度(Overlay),保證圖形與硅片上已經存在的圖形之間的對準。

曝光中最重要的兩個參數是:曝光能量(Energy)和焦距(Focus)。如果能量和焦距調整不好,就不能得到要求的分辨率和大小的圖形。表現為圖形的關鍵尺寸超出要求的范圍。

曝光方法:a、接觸式曝光(Contact Printing)。掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形分辨率相當,設備簡單。缺點:光刻膠污染掩膜板;掩膜板的磨損,壽命很低(只能使用5~25次);1970前使用,分辨率〉0.5μm。

b、接近式曝光(Proximity Printing)。掩膜板與光刻膠層的略微分開,大約為10~50μm??梢員苊庥牘飪探褐苯詠喲ザ鸕難諛ぐ逅鶘?。但是同時引入了衍射效應,降低了分辨率。1970后適用,但是其最大分辨率僅為2~4μm。

c、投影式曝光(Projection Printing)。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現曝光。一般掩膜板的尺寸會以需要轉移圖形的4倍制作。優點:提高了分辨率;掩膜板的制作更加容易;掩膜板上的缺陷影響減小。

投影式曝光分類:掃描投影曝光(Scanning Project Printing)。70年代末~80年代初,〉1μm工藝;掩膜板1:1,全尺寸;

步進重復投影曝光(Stepping-repeating Project Printing或稱作Stepper)。80年代末~90年代,0.35μm(I line)~0.25μm(DUV)。掩膜板縮小比例(4:1),曝光區域(Exposure Field)22×22mm(一次曝光所能覆蓋的區域)。增加了棱鏡系統的制作難度。

掃描步進投影曝光(Scanning-Stepping Project Printing)。90年代末~至今,用于≤0.18μm工藝。采用6英寸的掩膜板按照4:1的比例曝光,曝光區域(Exposure Field)26×33mm。優點:增大了每次曝光的視??;提供硅片表面不平整的補償;提高整個硅片的尺寸均勻性。但是,同時因為需要反向運動,增加了機 械系統的精度要求。

在曝光過程中,需要對不同的參數和可能缺陷進行跟蹤和控制,會用到檢測控制芯片/控片 (Monitor Chip)。根據不同的檢測控制對象,可以分為以下幾種:a、顆??仄≒article MC):用于芯片上微小顆粒的監控,使用前其顆粒數應小于10顆;b、卡盤顆??仄–huck Particle MC):測試光刻機上的卡盤平坦度的專用芯片,其平坦度要求非常高;c、焦距控片(Focus MC):作為光刻機監控焦距監控;d、關鍵尺寸控片(Critical Dimension MC):用于光刻區關鍵尺寸穩定性的監控;e、光刻膠厚度控片(PhotoResist Thickness MC):光刻膠厚度測量;f、光刻缺陷控片(PDM,Photo Defect Monitor):光刻膠缺陷監控。

舉例:0.18μm的CMOS掃描步進光刻工藝。

光源:KrF氟化氪DUV光源(248nm) ;數值孔徑NA:0.6~0.7;焦深DOF:0.7μm

分辨率Resolution:0.18~0.25μm

(一般采用了偏軸照明OAI_Off- Axis Illumination和相移掩膜板技術PSM_Phase Shift Mask增強);

套刻精度Overlay:65nm;產能Throughput:30~60wafers/hour(200mm);視場尺寸Field Size:25×32mm;

6、后烘(PEB,Post Exposure Baking)

方法:熱板,110~1300C,1分鐘。

目的:a、減少駐波效應;b、激發化學增強光刻膠的PAG產生的酸與光刻膠上的?;せ歐⑸從Σ⒁瞥攀怪莧芙庥諳雜耙?。

7、顯影(Development)

方法:a、整盒硅片浸沒式顯影(Batch Development)。缺點:顯影液消耗很大;顯影的均勻性差;

b、連續噴霧顯影(Continuous Spray Development)/自動旋轉顯影(Auto-rotation Development)。一個或多個噴嘴噴灑顯影液在硅片表面,同時硅片低速旋轉(100~500rpm)。噴嘴噴霧模式和硅片旋轉速度是實現硅片間溶 解率和均勻性的可重復性的關鍵調節參數。

c、水坑(旋覆浸沒)式顯影(Puddle Development)。噴覆足夠(不能太多,最小化背面濕度)的顯影液到硅片表面,并形成水坑形狀(顯影液的流動保持較低,以減少邊緣顯影速率的變 化)。硅片固定或慢慢旋轉。一般采用多次旋覆顯影液:第一次涂覆、保持10~30秒、去除;第二次涂覆、保持、去除。然后用去離子水沖洗(去除硅片兩面的 所有化學品)并旋轉甩干。優點:顯影液用量少;硅片顯影均勻;最小化了溫度梯度。

顯影液:a、正性光刻膠的顯影液。正膠的顯影液位堿性水溶液。KOH和NaOH因為會帶來可 動離子污染(MIC,Movable Ion Contamination),所以在IC制造中一般不用。最普通的正膠顯影液是四甲基氫氧化銨(TMAH)(標準當量濃度為0.26,溫度 15~250C)。在I線光刻膠曝光中會生成羧酸,TMAH顯影液中的堿與酸中和使曝光的光刻膠溶解于顯影液,而未曝光的光刻膠沒有影響;在化學放大光刻 膠(CAR,Chemical Amplified Resist)中包含的酚醛樹脂以PHS形式存在。CAR中的PAG產生的酸會去除PHS中的?;せ牛╰-BOC),從而使PHS快速溶解于TMAH顯 影液中。整個顯影過程中,TMAH沒有同PHS發生反應。

b、負性光刻膠的顯影液。二甲苯。清洗液為乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。

顯影中的常見問題:a、顯影不完全(Incomplete Development)。表面還殘留有光刻膠。顯影液不足造成;b、顯影不夠(Under Development)。顯影的側壁不垂直,由顯影時間不足造成;c、過度顯影(Over Development)??拷礱嫻墓飪探罕幌雜耙汗熱芙?,形成臺階。顯影時間太長。

8、硬烘(Hard Baking)

方法:熱板,100~1300C(略高于玻璃化溫度Tg),1~2分鐘。

目的:a、完全蒸發掉光刻膠里面的溶劑(以免在污染后續的離子注入環境,例如DNQ酚醛樹脂 光刻膠中的氮會引起光刻膠局部爆裂);b、堅膜,以提高光刻膠在離子注入或刻蝕中?;は鹵礱嫻哪芰?;c、進一步增強光刻膠與硅片表面之間的黏附性;d、進 一步減少駐波效應(Standing Wave Effect)。

常見問題:a、烘烤不足(Underbake)。減弱光刻膠的強度(抗刻蝕能力和離子注入中 的阻擋能力);降低針孔填充能力(Gapfill Capability for the needle hole);降低與基底的黏附能力。b、烘烤過度(Overbake)。引起光刻膠的流動,使圖形精度降低,分辨率變差。

另外還可以用深紫外線(DUV,Deep Ultra-Violet)堅膜。使正性光刻膠樹脂發生交聯形成一層薄的表面硬殼,增加光刻膠的熱穩定性。在后面的等離子刻蝕和離子注入(125~2000C)工藝中減少因光刻膠高溫流動而引起分辨率的降低。


原文標題:半導體的光刻工藝全過程技術詳解!

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釜川高端裝備研發制造項目落戶江蘇無錫錫山區 總投資達10.6億元

近日,江蘇無錫錫山區東港鎮人民政府與上海釜川自動化設備有限公司(以下簡稱“上海釜川”)舉行簽約儀式。....
的頭像 半導體動態 發表于 10-12 16:37 ? 503次 閱讀
釜川高端裝備研發制造項目落戶江蘇無錫錫山區 總投資達10.6億元

處理器的核心架構將提高嵌入式應用的性價比

現階段半導體晶片商多采用ARM的處理器核心,來制造旗下處理器或微控制器等產品。ARM的核心可分為A、....
發表于 10-12 16:34 ? 120次 閱讀
處理器的核心架構將提高嵌入式應用的性價比

臺積電持續擴大領先距離 第二梯隊廠商發展布局從多方切入

時序將邁入2019年第四季,面對2020年半導體產業展望,市場上普遍預估將有5~7%的成長水平,但由....
的頭像 半導體動態 發表于 10-12 16:06 ? 554次 閱讀
臺積電持續擴大領先距離 第二梯隊廠商發展布局從多方切入

國內最大的半導體測試機本土供應商?

數據顯示,2016年至2018年以及2019年第一季度,華峰測控的營業收入分別為1.12億元、1.4....
的頭像 倩倩 發表于 10-12 15:47 ? 383次 閱讀
國內最大的半導體測試機本土供應商?

聚焦下一代通信和材料半導體

在自主研發方面,中國走出了華為,憑一己之力拿下5G在網絡+終端+芯片端到端能力。現在的測控行業猶如當....
的頭像 倩倩 發表于 10-12 15:32 ? 385次 閱讀
聚焦下一代通信和材料半導體

韓國巨頭大手筆投資中國半導體工廠

根據三星10月8日發布財報顯示,第三季度,三星營業利潤僅為7.7萬億韓元,與去年同期相比減少56%,....
的頭像 倩倩 發表于 10-12 15:22 ? 496次 閱讀
韓國巨頭大手筆投資中國半導體工廠

江蘇南大光電發布了2019年前三季度業績預告

MO源系列產品是制備LED、新一代太陽能電池、相變存儲器、半導體激光器、射頻集成電路芯片等的核心原材....
的頭像 倩倩 發表于 10-12 15:19 ? 402次 閱讀
江蘇南大光電發布了2019年前三季度業績預告

葉國光:70年大變局,看中美貿易戰、臺灣半導體與MicroLED

臺灣市場太小了,臺灣只有代工制造這個僅有的驕傲,臺灣永遠是5G的配角,如何做一個稱職的配角,臺灣還在....
的頭像 倩倩 發表于 10-12 15:16 ? 842次 閱讀
葉國光:70年大變局,看中美貿易戰、臺灣半導體與MicroLED

韓國優秀半導體企業將來西安考察

英國大使館官員表示,他們在陜西的主要工作方向集中于一帶一路主題、醫療健康、教育領域、科技領域以及文物....
的頭像 倩倩 發表于 10-12 15:12 ? 385次 閱讀
韓國優秀半導體企業將來西安考察

下一代的模擬和射頻設計驗證工具將會是什么樣的?

目前最先進的模擬和射頻電路,正廣泛應用于消費電子產品、無線通訊設備、計算機和網絡設備的SoC中。它們帶來了一系列驗證方面的...
發表于 10-11 06:39 ? 49次 閱讀
下一代的模擬和射頻設計驗證工具將會是什么樣的?

吉時利——半導體分立器件I-V特性測試方案

吉時利——半導體分立器件I-V特性測試方案半導體分立器件包含大量的雙端口或三端口器件,如二極管,晶體管,場效應管等,是組成...
發表于 10-08 15:41 ? 655次 閱讀
吉時利——半導體分立器件I-V特性測試方案

半導體測試設備BaseSupport軟件功能和優點概述

This document describes the features and benefits of BaseSupport software phone assistance....
發表于 10-08 08:13 ? 50次 閱讀
半導體測試設備BaseSupport軟件功能和優點概述

金絲球焊機怎么操作?

近年來半導體封裝工業己經開始在中國蓬勃興起和發展,對中國工業技術的提高具有很大的推動作用。金絲球焊線機是芯片封裝工藝設備...
發表于 09-29 10:19 ? 72次 閱讀
金絲球焊機怎么操作?

全系統支持半導體測試系統校準服務

This document provides a general description of the service in addition to listing the features and benefits....
發表于 09-27 14:31 ? 71次 閱讀
全系統支持半導體測試系統校準服務

半導體器件C-V特性測試方案

半導體器件C-V特性測試方案交流C-V測試可以揭示材料的氧化層厚度,晶圓工藝的界面陷阱密度,摻雜濃度,摻雜分布以及載流子壽...
發表于 09-27 14:23 ? 1002次 閱讀
半導體器件C-V特性測試方案

LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

LM3xxLV系列包括單個LM321LV,雙LM358LV和四個LM324LVoperational放大器或運算放大器。這些器件采用2.7 V至5.5 V的低電壓工作。 這些運算放大器是LM321,LM358和LM324的替代產品,適用于對成本敏感的低電壓應用。一些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品。 LM3xxLV器件在低電壓下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。運算放大器在單位增益下穩定,在過驅動條件下不會反相。 ESD設計為LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM規格。 LM3xxLV系列提供具有行業標準的封裝。這些封裝包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 用于成本敏感系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1 mV 共模電壓范圍包括接地 單位增益帶寬:1 MHz 低寬帶噪聲:40 nV /√ Hz < li>低靜態電流:90μA/Ch 單位增益穩定 工作電壓為2.7 V至5.5 V 提供單,雙和四通道變體 穩健的ESD規范:2 kV HBM 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
發表于 01-08 17:51 ? 860次 閱讀
LM324LV 4 通道行業標準低電壓運算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/μs 高轉換率 RRIO 運算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分別是單,雙和四運算放大器。這些器件針對1.8 V至5.5 V的低電壓工作進行了優化。輸入和輸出可以以非常高的壓擺率從軌到軌工作。這些器件非常適用于需要低壓工作,高壓擺率和低靜態電流的成本受限應用。這些應用包括大型電器和三相電機的控制。 TLV905x系列的容性負載驅動為200 pF,電阻性開環輸出阻抗使容性穩定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因為器件是統一的 - 增益穩定,包括一個RFI和EMI濾波器,在過載條件下不會發生反相。 特性 高轉換率:15 V /μs 低靜態電流:330μA 軌道-to-Rail輸入和輸出 低輸入失調電壓:±0.33 mV 單位增益帶寬:5 MHz 低寬帶噪聲:15 nV /√ Hz 低輸入偏置電流:2 pA Unity-Gain穩定 內部RFI和EMI濾波器 適用于低成本應用的可擴展CMOS運算放大器系列 工作電壓低至1.8 V 由于電阻開環,電容負載更容易穩定輸出阻抗 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
發表于 01-08 17:51 ? 105次 閱讀
TLV9052 5MHz、15-V/μs 高轉換率 RRIO 運算放大器

TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度傳感器

TMP422是具有內置本地溫度傳感器的遠程溫度傳感器監視器。遠程溫度傳感器具有二極管連接的晶體管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 類晶體管或者作為微控制器,微處理器,或者FPGA組成部分的二極管。 無需校準,對多生產商的遠程精度是±1°C。這個2線串行接口接受SMBus寫字節,讀字節,發送字節和接收字節命令對此器件進行配置。 TMP422包括串聯電阻抵消,可編程非理想性因子,大范圍遠程溫度測量(高達150℃),和二極管錯誤檢測。 TMP422采用SOT23-8封裝。 特性 SOT23-8封裝 ±1°C遠程二極管傳感器(最大值) ±2.5°C本地溫度傳感器(最大值) 串聯電阻抵消 n-因子校正 兩線/SMBus串口 多重接口地址 二極管故障檢測 RoHS兼容和無Sb /Br 參數 與其它產品相比?數字溫度傳感器 ? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...
發表于 01-08 17:51 ? 135次 閱讀
TMP422-EP 增強型產品,具有 N 因數和串聯電阻校正的 ±1°C 雙路遠程和本地溫度傳感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

LP8733xx-Q1專為滿足的電源管理要求而設計,這些處理器和平臺用于汽車應用中的閉環性能。該器件具有兩個可配置為單個兩相穩壓器或兩個單相穩壓器的降壓直流/直流轉換器和兩個線性穩壓器以及通用數字輸出信號。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動PWM /PFM(AUTO模式)操作與自動相位增加/減少相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持遠程電壓檢測(采用兩相配置的差分),可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8733xx-Q1器件支持可編程啟動和關斷延遲與排序(包括與使能信號同步的GPO信號)。在啟動和電壓變化期間,器件會對出轉換率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性:器件溫度 1 級:-40℃ 至 +125℃ 的環境運行溫度范圍輸入電壓:2.8V 至 5.5V兩個高效降壓直流/直流轉換器:輸出電壓:0.7V 至 3.36V最大輸出電流 3A/相采用兩相配置的自動相位增加/減少和強制多相操作采用兩相配置的遠...
發表于 01-08 17:51 ? 160次 閱讀
LP8733-Q1 LP8733-Q1 雙路高電流降壓轉換器和雙路線性穩壓器

TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

TPS3840系列電壓監控器或復位IC可在高電壓下工作,同時在整個V DD 上保持非常低的靜態電流和溫度范圍。 TPS3840提供低功耗,高精度和低傳播延遲的最佳組合(t p_HL =30μs典型值)。 當VDD上的電壓低于負電壓閾值(V IT - )或手動復位拉低邏輯(V MR _L )。當V DD 上升到V IT - 加滯后(V IT + )和手動復位( MR )時,復位信號被清除)浮動或高于V MR _H ,復位時間延遲(t D )到期??梢醞ü贑T引腳和地之間連接一個電容來編程復位延時。對于快速復位,CT引腳可以懸空。 附加功能:低上電復位電壓(V POR ), MR 和VDD的內置線路抗擾度?;?,內置遲滯,低開漏輸出漏電流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的電壓監測解決方案,適用于工業應用和電池供電/低功耗應用。 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 結果 特性 寬工作電壓:1.5 V至10 V 納米電源電流:350 nA(典型值) 固定閾值電壓(V IT - ) 閾值從1.6 V到4.9 V,步長為0.1 V 高精度:1%(典型值) 內置滯后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
發表于 01-08 17:51 ? 224次 閱讀
TPS3840 具有手動復位和可編程復位時間延遲功能的毫微功耗高輸入電壓監控器

INA240-SEP 采用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

INA240-SEP器件是一款電壓輸出,電流檢測放大器,具有增強的PWM反射功能,能夠在寬共模電壓下檢測分流電阻上的壓降范圍為-4V至80V,與電源電壓無關。負共模電壓允許器件在地下工作,適應典型電磁閥應用的反激時間。 EnhancedPWM抑制為使用脈沖寬度調制(PWM)信號的大型共模瞬變(ΔV/Δt)系統(如電機驅動和電磁閥控制系統)提供高水平的抑制。此功能可實現精確的電流測量,無需大的瞬態電壓和輸出電壓上的相關恢復紋波。 該器件采用2.7 V至5.5 V單電源供電,最大電源電流為2.4 mA 。固定增益為20 V /V.零漂移架構的低失調允許電流檢測,分流器上的最大壓降低至10 mV滿量程。 特性 VID V62 /18615 抗輻射 單事件閂鎖(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圓批次可達30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空間增強塑料 受控基線 金線 NiPdAu LeadFinish < /li> 一個裝配和測試現場 一個制造現場 可用于軍用(-55°C至125°C)溫度范圍 ExtendedProduct生命周期 擴展產品更改通知 產品可追溯性 用于低釋氣的增強型模具化合物 增強型PWM抑制 出色...
發表于 01-08 17:51 ? 111次 閱讀
INA240-SEP 采用增強型航天塑料且具有增強型 PWM 抑制功能的 80V、高/低側、零漂移電流檢測放大器

LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

LM96000硬件監視器具有與SMBus 2.0兼容的雙線數字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000測量: 兩個遠程二極管連接晶體管及其自身裸片的溫度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V電源(內部定標電阻)。 為了設置風扇速度,LM96000有三個PWM輸出,每個輸出由三個溫度區域之一控制。支持高和低PWM頻率范圍。 LM96000包括一個數字濾波器,可調用該濾波器以平滑溫度讀數,從而更好地控制風扇速度。 LM96000有四個轉速計輸入,用于測量風扇速度。包括所有測量值的限制和狀態寄存器。 特性 符合SMBus 2.0標準的2線制串行數字接口 8位ΣΔADC 監控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/處理器電源 監控2個遠程熱二極管 基于溫度讀數的可編程自主風扇控制 風扇控制溫度讀數的噪聲過濾 1.0°C數字溫度傳感器分辨率 3 PWM風扇速度控制輸出 提供高低PWM頻率范圍 4風扇轉速計輸入 監控5條VID控制線 24針TSSOP封裝 XOR-tree測試模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
發表于 01-08 17:51 ? 155次 閱讀
LM96000 具有集成風扇控制的硬件監控器

LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字溫度傳感器

LM63是一款帶集成風扇控制的遠程二極管溫度傳感器。 LM63精確測量:(1)自身溫度和(2)二極管連接的晶體管(如2N3904)或計算機處理器,圖形處理器單元(GPU)和其他ASIC上常見的熱敏二極管的溫度。 LM63遠程溫度傳感器的精度針對串聯電阻和英特爾0.13μm奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱敏二極管的1.0021非理想性進行了工廠調整。 LM63有一個偏移寄存器,用于校正由其他熱二極管的不同非理想因素引起的誤差。 LM63還具有集成的脈沖寬度調制(PWM)開漏風扇控制輸出。風扇速度是遠程溫度讀數,查找表和寄存器設置的組合。 8步查找表使用戶能夠編程非線性風扇速度與溫度傳遞函數,通常用于靜音聲學風扇噪聲。 特性 準確感應板載大型處理器或ASIC上的二極管連接2N3904晶體管或熱二極管 準確感知其自身溫度< /li> 針對英特爾奔騰4和移動奔騰4處理器-M熱二極管的工廠調整 集成PWM風扇速度控制輸出 使用用戶可編程降低聲學風扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 輸出或轉速計輸入,功能的多功能,用戶可選引腳 用于測量風扇RPM的轉速計輸入< /li> 用于測量典型應用中脈沖寬度調制功率的風扇轉速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可針對...
發表于 01-08 17:51 ? 237次 閱讀
LM63 具有集成風扇控制的準確遠程二極管數字溫度傳感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

AWR1843器件是一款集成的單芯片FMCW雷達傳感器,能夠在76至81 GHz頻段內工作。該器件采用TI的低功耗45納米RFCMOS工藝制造,可在極小的外形尺寸內實現前所未有的集成度。 AWR1843是汽車領域低功耗,自監控,超精確雷達系統的理想解決方案。 AWR1843器件是一款獨立的FMCW雷達傳感器單芯片解決方案,可簡化在76至81 GHz頻段內實施汽車雷達傳感器。它基于TI的低功耗45納米RFCMOS工藝,可實現具有內置PLL和A2D轉換器的3TX,4RX系統的單片實現。它集成了DSP子系統,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷達信號處理。該設備包括BIST處理器子系統,負責無線電配置,控制和校準。此外,該器件還包括一個用戶可編程ARM R4F,用于汽車接口。硬件加速器??椋℉WA)可以執行雷達處理,并可以幫助在DSP上保存MIPS以獲得更高級別的算法。簡單的編程模型更改可以實現各種傳感器實現(短,中,長),并且可以動態重新配置以實現多模傳感器。此外,該設備作為完整的平臺解決方案提供,包括參考硬件設計,軟件驅動程序,示例配置,API指南和用戶文檔。 特性 FMCW收發器 集成PLL,發送器,接收...
發表于 01-08 17:51 ? 839次 閱讀
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷達加速器的 76GHz 至 81GHz 單芯片汽車雷達傳感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度運算放大器是超低噪聲,快速穩定,零漂移,零交叉器件,可實現軌到軌輸入和輸出運行。這些特性及優異交流性能與僅為0.25μV的偏移電壓以及0.005μV/°C的溫度漂移相結合,使OPAx388成為驅動高精度模數轉換器(ADC)或緩沖高分辨率數模轉換器(DAC)輸出的理想選擇。該設計可在驅動模數轉換器(ADC)的過程中實現優異性能,不會降低線性度.OPA388(單通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三種封裝.OPA2388(雙通道版本)提供VSSOP-8和SO-8兩種封裝.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14兩種封裝。上述所有版本在-40°C至+ 125°C擴展工業溫度范圍內額定運行。 特性 超低偏移電壓:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR實際RRIO 低噪聲:1kHz時為7.0nV /√ Hz 無1 /f噪聲:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速穩定:2μs(1V至0.01%) 增益帶寬:10MHz 單電源:2.5V至5.5V 雙電源:±1.25V至±2.75V 真實軌到軌輸入和輸出 已濾除電磁干擾( EMI)/射頻干擾(RFI)的輸入 行業標...
發表于 01-08 17:51 ? 139次 閱讀
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密運算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

TLVx314-Q1系列單通道,雙通道和四通道運算放大器是新一代低功耗,通用運算放大器的典型代表。該系列器件具有軌到軌輸入和輸出(RRIO)擺幅,低靜態電流(5V時典型值為150μA),3MHz高帶寬等特性,非常適用于需要在成本與性能間實現良好平衡的各類電池供電型應用。 TLVx314-Q1系列可實現1pA低輸入偏置電流,是高阻抗傳感器的理想選擇。 TLVx314-Q1器件采用穩健耐用的設計,方便電路設計人員使用。該器件具有單位增益穩定性,支持軌到軌輸入和輸出(RRIO),容性負載高達300PF,集成RF和EMI抑制濾波器,在過驅條件下不會出現反相并且具有高靜電放電(ESD)?;ぃ?kV人體模型(HBM))。 此類器件經過優化,適合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低電壓狀態下工作并可在-40°C至+ 125°C的擴展工業溫度范圍內額定運行。 TLV314-Q1(單通道)采用5引腳SC70和小外形尺寸晶體管(SOT)-23封裝.TLV2314-Q1(雙通道版本)采用8引腳小外形尺寸集成電路(SOIC)封裝和超薄外形尺寸(VSSOP)封裝。四通道TLV4314-Q1采用14引腳薄型小外形尺寸(TSSOP)封裝。 特性 符合汽車類應用的要求 具...
發表于 01-08 17:51 ? 113次 閱讀
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、內置 EMI 濾波器的 RRIO 運算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

DRV5021器件是一款用于高速應用的低壓數字開關霍爾效應傳感器。該器件采用2.5V至5.5V電源工作,可檢測磁通密度,并根據預定義的磁閾值提供數字輸出。 該器件檢測垂直于封裝面的磁場。當施加的磁通密度超過磁操作點(B OP )閾值時,器件的漏極開路輸出驅動低電壓。當磁通密度降低到小于磁釋放點(B RP )閾值時,輸出變為高阻抗。由B OP 和B RP 分離產生的滯后有助于防止輸入噪聲引起的輸出誤差。這種配置使系統設計更加強大,可抵抗噪聲干擾。 該器件可在-40°C至+ 125°C的寬環境溫度范圍內始終如一地工作。 特性 數字單極開關霍爾傳感器 2.5 V至5.5 V工作電壓V CC 范圍 磁敏感度選項(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感應帶寬 開漏輸出能夠達到20 mA 優化的低壓架構 集成滯后以增強抗噪能力 工作溫度范圍:-40° C至+ 125°C 標準工業封裝: 表面貼裝SOT-23 所有商標均為其各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?霍爾效應鎖存器和開關 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
發表于 01-08 17:51 ? 193次 閱讀
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍爾效應單極開關

TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

TLV1805-Q1高壓比較器提供寬電源范圍,推挽輸出,軌到軌輸入,低靜態電流,關斷的獨特組合和快速輸出響應。所有這些特性使該比較器非常適合需要檢測正或負電壓軌的應用,如智能二極管控制器的反向電流?;?,過流檢測和過壓?;さ緶?,其中推挽輸出級用于驅動柵極p溝道或n溝道MOSFET開關。 高峰值電流推挽輸出級是高壓比較器的獨特之處,它具有允許輸出主動驅動負載到電源軌的優勢具有快速邊緣速率。這在MOSFET開關需要被驅動為高或低以便將主機與意外高壓電源連接或斷開的應用中尤其有價值。低輸入失調電壓,低輸入偏置電流和高阻態關斷等附加功能使TLV1805-Q1足夠靈活,可以處理幾乎任何應用,從簡單的電壓檢測到驅動單個繼電器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100標準,采用6引腳SOT-23封裝,額定工作溫度范圍為-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下結果: DeviceTemperature 1級:-40°C至+ 125°C環境溫度工作溫度 器件HBMESD分類等級2 器件CDM ESD分類等級C4A 3.3 V至40 V電源范圍 低靜態電流:每個比較器150μA 兩個導軌以外的輸入共模范圍 相位反轉?;?推 - 拉輸出 250ns傳播延遲 低輸入失...
發表于 01-08 17:51 ? 168次 閱讀
TLV1805-Q1 具有關斷功能的 40V 微功耗推挽式汽車類高電壓比較器

TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

這個遠程溫度傳感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶體管,或者基板熱晶體管/二極管,這些器件都是微處理器,模數轉換器(ADC),數模轉換器(DAC),微控制器或現場可編程門陣列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和遠程傳感器均用12位數字編碼表示溫度,分辨率為0.0625°C。此兩線制串口接受SMBus通信協議,以及多達9個不同的引腳可編程地址。 該器件將諸如串聯電阻抵消,可編程非理想性因子(η因子),可編程偏移,可編程溫度限制和可編程數字濾波器等高級特性完美結合,提供了一套準確度和抗擾度更高且穩健耐用的溫度監控解決方案。 TMP461-SP是在各種分布式遙測應用中進行多位置高精度溫度測量的理想選擇這類集成式本地和遠程溫度傳感器可提供一種簡單的方法來測量溫度梯度,進而簡化了航天器維護活動。該器件的額定電源電壓范圍為1.7V至3.6V,額定工作溫度范圍為-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV標準:5962-1721801VXC 熱增強型HKU封裝 經測試,在50rad /s的高劑量率(HDR)下,可抵抗高達50krad(Si)的電離輻射總劑量(TID) 經測試,在10mrad /s的低劑量率(LDR)下,可抵抗高達100krad(Si)的電離輻射...
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TMP461-SP 耐輻射 (RHA) 高精度遠程和本地溫度傳感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

LP87524B /J /P-Q1旨在滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求。該器件包含四個降壓DC-DC轉換器內核,配置為4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自動PFM /PWM(自動模式)操作可在寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持遠程電壓檢測,以補償穩壓器輸出和負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,開關時鐘可以強制為PWM模式,也可以與外部時鐘同步,以最大限度地減少干擾。 LP87524B /J /P-Q1器件支持負載電流測量,無需增加外部電流檢測電阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1還支持可編程的啟動和關閉延遲以及與信號同步的序列。這些序列還可以包括GPIO信號,以控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位。在啟動和電壓變化期間,器件控制輸出壓擺率,以最大限度地減少輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車應用要求 AEC-Q100符合以下結果: 設備溫度等級1:-40°C至+ 125°C環境工作溫度 輸入電壓:2.8 V至5.5 V 輸出電壓:0.6 V至3.36 V 四個高效降壓型DC-DC轉換器內核: 總輸出電流高達10 A 輸出電壓漏電率...
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LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四個 4MHz 降壓轉換器

TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

TAS2562是一款數字輸入D類音頻放大器,經過優化,能夠有效地將高峰值功率驅動到小型揚聲器應用中。 D類放大器能夠在電壓為3.6 V的情況下向6.1負載提供6.1 W的峰值功率。 集成揚聲器電壓和電流檢測可實現對揚聲器的實時監控。這允許在將揚聲器保持在安全操作區域的同時推動峰值SPL。具有防止掉電的電池跟蹤峰值電壓限制器可優化整個充電周期內的放大器裕量,防止系統關閉。 I 2 S /TDM + I中最多可有四個器件共用一個公共總線 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm間距CSP封裝,尺寸緊湊。 高性能D類放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V時4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V時為8Ω) 15μVrmsA加權空閑信道噪聲 112.5dB SNR為1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 紋波頻率為20 - 20 kHz 83.5%效率為1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW關斷VBAT電流 揚聲器電壓和電流檢測 VBAT跟蹤峰值電壓限制器,具有欠壓預防 8 kHz至192 kHz采樣率 靈活的用戶界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4個可選擇的地址 MCLK免費操作 低流行并點...
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TAS2562 具有揚聲器 IV 檢測功能的數字輸入單聲道 D 類音頻放大器

LM358B 雙路運算放大器

LM358B和LM2904B器件是業界標準的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括兩個高壓(36V)操作放大器(運算放大器)。這些器件為成本敏感型應用提供了卓越的價值,具有低失調(300μV,典型值),共模輸入接地范圍和高差分輸入電壓能力等特點。 LM358B和LM2904B器件簡化電路設計具有增強穩定性,3 mV(室溫下最大)的低偏移電壓和300μA(典型值)的低靜態電流等增強功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF濾波器,可用于最堅固,極具環境挑戰性的應用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封裝,例如TSOT-8和WSON,以及行業標準封裝,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的寬電源范圍(B版) 供應 - 電流為300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的單位增益帶寬(B版) 普通 - 模式輸入電壓范圍包括接地,使能接地直接接地 25°C時低輸入偏移電壓3 mV(A和B型號,最大值) 內部RF和EMI濾波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的產品上,除非另有說明,否則所有參數均經過測試。在所有其他產品上,生產加工不一定包括所有參數的測試。 所...
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LM358B 雙路運算放大器

LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
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LP87565-Q1 具有集成開關的四相 8A + 8A 降壓轉換器

LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

LM290xLV系列包括雙路LM2904LV和四路LM2902LV運算放大器。這些器件由2.7V至5.5V的低電壓供電。 這些運算放大器可以替代低電壓應用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些應用是大型電器,煙霧探測器和個人電子產品.LM290xLV器件在低電壓下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗盡。這些運算放大器具有單位增益穩定性,并且在過驅情況下不會出現相位反轉.ESD設計為LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM規格。 LM290xLV系列采用行業標準封裝。這些封裝包括SOIC,VSSOP和TSSOP封裝。 特性 適用于成本敏感型系統的工業標準放大器 低輸入失調電壓:±1mV < LI>共模電壓范圍包括接地 單位增益帶寬:1MHz的 低寬帶噪聲:40nV /√赫茲 低靜態電流:90μA/通道 單位增益穩定 可在2.7V至5.5V的電源電壓下運行 提供雙通道和四通道型號< /li> 嚴格的ESD規格:2kV HBM 擴展溫度范圍:-40°C至125°C 所有商標均為各自所有者的財產。 參數 與其它產品相比?通用 運算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
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LM2902LV 行業標準、低電壓放大器

LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器

LP8756x-Q1器件專為滿足各種汽車電源應用中最新處理器和平臺的電源管理要求而設計。該器件包含四個降壓直流/直流轉換器內核,這些內核可配置為1個四相輸出,1個三相和1個單相輸出,2個兩相輸出,1個兩相和2個單相輸出,或者4個單相輸出。該器件由I 2 C兼容串行接口和使能信號進行控制。 自動脈寬調制(PWM)到脈頻調制(PFM)操作( AUTO模式)與自動增相和切相相結合,可在較寬輸出電流范圍內最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持對多相位輸出的遠程差分電壓檢測,可補償穩壓器輸出與負載點(POL)之間的IR壓降,從而提高輸出電壓的精度。此外,可以強制開關時鐘進入PWM模式以及將其與外部時鐘同步,從而最大限度地降低干擾。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部電流檢測電阻器的情況下進行負載電這個序列可能包括用于控制外部穩壓器,負載開關和處理器復位的GPIO信號。在啟動和電壓變化期間,該器件會對輸出壓擺率進行控制,從而最大限度地減小輸出電壓過沖和浪涌電流。 特性 符合汽車類標準 具有符合AEC-Q100標準的下列特性: 器件溫度1級:-40℃至+ 125℃的環境運行溫度范圍 器件HBM ESD分類等級2 器件CDM ES...
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LP87561-Q1 具有集成開關的四相 16A 降壓轉換器