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福利彩票时时彩胆码公式:Microchip發布全新PoE交換機 助力打造高性價比智能照明系統

Microchip微芯 ? 2019-05-24 13:49 ? 次閱讀

8828彩票的押注公式 www.mjbrhs.com.cn 隨著企業和機構致力于提升樓宇能源效率、改善樓宇運營成本,商用智能照明系統應用日漸普遍。這些系統正越來越多地采用以太網供電(PoE)技術,通過單條以太網線管理電源和數據,為系統提供可靠、易安裝的解決方案。為推動照明系統規模和效率的提升,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今日通過其子公司Microsemi Corporation(美高森美)發布了一款高性價比8端口PoE交換機——PDS-408G PoE交換機。新款交換機可確保為8個端口同時提供60W的功率,適用于數字天花板的安裝。新產品符合IEEE 802.3bt標準,采用無風扇設計,在工作時不會產生噪音。

PDS-408G交換機專為企業互聯照明應用而設計,將照明、傳感器、暖通空調、Wi-Fi?接入點等不同系統集成在同一臺交換機上。這款交換機擁有8個PoE端口(聯網照明的最佳端口數量),并通過節能和降低運營成本,為終端應用節省額外的成本開支。它符合IEEE 802.3bt標準,提供的總功率為480W,單個端口的最高功率為90W,8個端口同時供電時的功率為60W。

PDS-408G交換機的阻燃等級為增壓級,可安裝在任何通風空間中,是數字天花板安裝的最佳選擇。PDS-408G交換機采用無風扇設計,對于辦公室、醫院、酒店等對安靜和可靠性要求較高的建筑,可充分滿足它們的需求。此外,它還具備PoE的其他優點,例如供電安全、安裝簡單、部署靈活、支持遠程功率管理等。

Microchip模擬器件、分立器件和功率產品事業部高級副總裁Rich Simoncic表示:“互聯照明系統對以太網供電(PoE)的需求不斷增加,新推出的PoE交換機專為這一應用量身打造,PDS-408G將延續Microchip在PoE技術領域的領導力,是一種符合IEEE 802.3bt標準的解決方案,可以提供先前PoE標準規定值近6倍的功率?!?/p>

PDS-408G交換機是Microchip端到端PoE解決方案組合的一部分??⑷嗽笨稍謚斬私詰閌褂肞DS-408G交換機和Microchip各類8位和32位PIC?和AVR?單片機。為幫助開發人員加快PoE設計,Microchip提供了大量便于使用的硬件和軟件工具,其中包括裝有PIC18單片機、ATECC608A安全器件和MIC28512降壓穩壓器的PIC18 PoE主板。如需了解更多關于Microchip以太網解決方案的信息,請點擊此處。

供貨與定價

PDS-408G PoE交換機現已上市,單價為980美元。如需了解更多信息或購買該產品,請聯系Microchip的銷售代表或全球授權分銷商。

原文標題:Microchip推出符合IEEE 802.3bt以太網供電(PoE)新標準的8端口交換機,助力打造高性價比智能照明系統

文章出處:【微信號:MicrochipTechnology,微信公眾號:Microchip微芯】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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TP2640 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-400V,15歐姆

TP2540 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-400V,25歐姆

信息 這種低閾值,增強型(常關)晶體管采用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極制造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力以及MOS器件固有的高輸入阻抗和正溫度系數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用于極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低電壓的各種開關和放大應用需要輸入電容和快速切換速度。 低閾值(最高-2.4V) 高阻抗 低輸入電容(典型值為60pF) 快速切換速度 低導通電阻 ;免于二次故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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TP2540 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-400V,25歐姆

TP5335 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-350V,30 Ohm

信息 TP5335是一款低閾值增強型(常關)晶體管,采用先進的垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極制造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力,并具有MOS器件固有的高輸入阻抗和正溫度系數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用于高擊穿電壓,高輸入阻抗,低輸入電容和快速的各種開關和放大應用需要切換速度。 高輸入阻抗和高增益 低功率驅動器要求 Ease of并聯 低連續供電和快速切換速度 出色的熱穩定性 整體式源極 - 漏極二極管 免于二次故障 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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TP5335 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-350V,30 Ohm

TP2535 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-350V,25歐姆

信息 這種低閾值,增強型(常關)晶體管采用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極制造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力以及MOS器件固有的高輸入阻抗和正溫度系數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用于極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低電壓的各種開關和放大應用需要輸入電容和快速切換速度。 低閾值(最高-2.4V) 高阻抗 低輸入電容(典型值為60pF) 快速切換速度 低導通電阻 ;免于二次故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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TP2535 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-350V,25歐姆

TP2635 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-350V,15歐姆

信息 這種低閾值,增強型(常關)晶體管采用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極制造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力以及MOS器件固有的高輸入阻抗和正溫度系數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用于極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低電壓的各種開關和放大應用需要輸入電容和快速切換速度。 低閾值(最高-2.0V) 高阻抗 低輸入電容 快速切換速度 低導通電阻 免于中學故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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TP2635 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-350V,15歐姆

TP2520 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-200V,12歐姆

信息 這種低閾值增強模式(常關)晶體管采用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極制造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力,并具有MOS器件固有的高輸入阻抗和正溫度系數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用于需要極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低輸入電容和快速開關速度的各種開關和放大應用。 ;低閾值(最高-2.4V) 高阻抗 低輸入電容(最大125pF) &nbsp ; 快速切換速度 低導通電阻 免于二次故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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TP2520 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-200V,12歐姆

TP2522 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm

信息 這種低閾值增強模式(常關)晶體管采用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極制造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力,并具有MOS器件固有的高輸入阻抗和正溫度系數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用于需要極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低輸入電容和快速開關速度的各種開關和放大應用。 ;低閾值(最高-2.4V) 高阻抗 低輸入電容(最大125pF) &nbsp ; 快速切換速度 低導通電阻 免于二次故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 20:03 ? 12次 閱讀
TP2522 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-220V,12 Ohm

TP2424 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-240V,8歐姆

信息 這種低閾值增強模式(常關)晶體管采用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極制造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力,并具有MOS器件固有的高輸入阻抗和正溫度系數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用于需要極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低輸入電容和快速開關速度的各種開關和放大應用。 ;低閾值 高輸入阻抗 低輸入電容 快速切換速度 免于二次故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 20:03 ? 12次 閱讀
TP2424 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-240V,8歐姆

TP2510 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-100V,3.5 Ohm

信息 這種低閾值增強模式(常關)晶體管采用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極制造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力,并具有MOS器件固有的高輸入阻抗和正溫度系數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用于需要極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低輸入電容和快速開關速度的各種開關和放大應用。 ;低閾值(最高-2.4V) 高阻抗 低輸入電容(最大125pF) &nbsp ; 快速切換速度 低導通電阻 免于二次故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 20:03 ? 10次 閱讀
TP2510 MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-100V,3.5 Ohm

TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-40V,6.0歐姆

信息 這種低閾值,增強型(常關)晶體管采用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極制造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力以及MOS器件固有的高輸入阻抗和正溫度系數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用于極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低電壓的各種開關和放大應用需要輸入電容和快速切換速度。 高輸入阻抗和高增益 低功率驅動要求 &nbsp ; 易于并聯 低CISS和快速切換速度 卓越的熱穩定性 整體來源 - 二極管 免于二次故障 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 20:03 ? 29次 閱讀
TP2104 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-40V,6.0歐姆

TP2435 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-350V,15歐姆

信息 這種低閾值增強模式(常關)晶體管采用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極制造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力,并具有MOS器件固有的高輸入阻抗和正溫度系數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用于需要極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低輸入電容和快速開關速度的各種開關和放大應用。 ;低閾值 高輸入阻抗 低輸入電容 快速切換速度 免于二次故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
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TP2435 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-350V,15歐姆

TP0620 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-200V,12歐姆

信息 這種低閾值,增強型(常關)晶體管采用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極制造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力以及MOS器件固有的高輸入阻抗和正溫度系數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用于極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低電壓的各種開關和放大應用需要輸入電容和快速切換速度。 低閾值(最高-2.4V) 高阻抗 低輸入電容(典型值為85pF) 快速切換速度 低導通電阻 ;免于二次故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 20:03 ? 38次 閱讀
TP0620 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-200V,12歐姆

TP2502 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-20V,2.0歐姆

信息 這種低閾值增強模式(常關)晶體管采用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極制造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力,并具有MOS器件固有的高輸入阻抗和正溫度系數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用于需要極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低輸入電容和快速開關速度的各種開關和放大應用。 ;低閾值(最高-2.4V) 高阻抗 低輸入電容(最大125pF) &nbsp ; 快速切換速度 低導通電阻 免于二次故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 20:03 ? 35次 閱讀
TP2502 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-20V,2.0歐姆

TP0604 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-40V,2.0歐姆

信息 這種低閾值,增強型(常關)晶體管采用垂直DMOS結構和經過驗證的硅柵極制造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力以及MOS器件固有的高輸入阻抗和正溫度系數。該器件具有所有MOS結構的特性,不受熱失控和熱致二次擊穿的影響。垂直DMOS FET非常適用于極低閾值電壓,高擊穿電壓,高輸入阻抗,低電壓的各種開關和放大應用需要輸入電容和快速切換速度。 低閾值(最高-2.4V) 高阻抗 低輸入電容(典型值95pF) 快速切換速度 低導通電阻 ;免于二次故障 低輸入和輸出泄漏 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 20:03 ? 89次 閱讀
TP0604 MOSFET,P-CHANNEL增強型,-40V,2.0歐姆

TC1321 TC1321是一個可串行訪問的10位電壓輸出數模轉換器(DAC)。 DAC產生的輸出電壓范圍為群

信息 TC1321是一個可串行訪問的10位電壓輸出數模轉換器(DAC)。 DAC產生的輸出電壓范圍從地到外部提供的參考電壓。它采用2.7V至5.5V的單電源供電,非常適合各種應用。內置于器件中的是上電復位功能,可確保器件在已知條件下啟動。與TC1321的通信通過簡單的2線SMBus / I2C?兼容串行端口實現,TC1321僅作為從機設備。主機可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位來激活低功耗待機模式。 10位數模轉換器 2.7 -5.5V單電源供電。 簡單SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA關斷。< / p> Monotonicity Ensured。 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 20:02 ? 70次 閱讀
TC1321 TC1321是一個可串行訪問的10位電壓輸出數模轉換器(DAC)。 DAC產生的輸出電壓范圍為群

TC1320 TC1320是一個串行可訪問的8位電壓輸出數模轉換器(DAC)。 DAC產生的輸出電壓范圍為地面

信息 TC1320是一個串行可訪問的8位電壓輸出數模轉換器(DAC)。 DAC產生的輸出電壓范圍從地到外部提供的參考電壓。它采用2.7V至5.5V的單電源供電,非常適合各種應用。內置于器件中的是上電復位功能,可確保器件在已知條件下啟動。通過簡單的2線SMBus / I2C?兼容串行端口與TC1320進行通信,TC1320僅作為從機設備。主機可以使能CONFIG寄存器中的SHDN位來激活低功耗待機模式。 8位數模轉換器 2.7 -5.5V單電源供電 簡單SMBus / I 2 C串行接口 低功耗 - 0.35mA工作,0.5μA關斷 8引腳SOIC和8引腳MSOP封裝 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 20:02 ? 60次 閱讀
TC1320 TC1320是一個串行可訪問的8位電壓輸出數模轉換器(DAC)。 DAC產生的輸出電壓范圍為地面

TC7650 TC7650 CMOS斬波穩定運算放大器實際上消除了系統誤差計算中的偏移電壓誤差項。 5V最大值

信息 TC7650 CMOS斬波穩定運算放大器實際上消除了系統誤差計算中的偏移電壓誤差項。例如,5uV最大VOS規格比行業標準OP07E提高了15倍。 50 nV /°C偏移漂移規格比OP07E低25倍以上。性能的提高消除了VOS修整程序,周期性電位器調整以及修剪器損壞引起的可靠性問題。無需額外的制造復雜性和激光或“齊納擊穿”VOS微調技術所帶來的成本,即可實現TC7650的性能優勢。 TC7650歸零方案通過溫度校正DC VOS誤差和VOS漂移誤差。歸零放大器交替校正其自身的VOS誤差和主放大器VOS誤差。失調歸零電壓存儲在兩個用戶提供的外部電容上。電容連接到內部放大器VOS零點。主放大器輸入信號從不切換。 TC7650輸出端不存在開關尖峰。 14引腳雙列直插式封裝(DIP)具有外部振蕩器輸入,用于驅動歸零電路以獲得最佳噪聲性能。 8引腳和14引腳DIP均具有輸出電壓鉗位電路,可最大限度地減少過載恢復時間。 低偏移和偏移漂移的零漂移架構 ;低偏移,5uV(最大) 低偏移漂移,50nV /°C 寬工作電壓范圍,4.5V至16V 單一和拆分供應 No 1 / f Noise 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 19:07 ? 56次 閱讀
TC7650 TC7650 CMOS斬波穩定運算放大器實際上消除了系統誤差計算中的偏移電壓誤差項。 5V最大值

TC7652 400 kHz,單零漂移運算放大器

信息 TC7652是TC7650的低噪聲版本,犧牲了一些輸入規格(偏置電流和帶寬)以實現噪聲降低10倍。存在斬波技術的所有其他益處,即,不受外部調整部件的偏移調整,漂移和可靠性問題的影響。與TC7650一樣,TC7652僅需要兩個非關鍵的外部電容來存儲斬波的零電位。沒有明顯的斬波峰值,內部影響或超量程鎖定問題。 漂移操作電壓:5到16 單一和分離供應 低噪音 電路圖、引腳圖和封裝圖...
發表于 04-18 19:07 ? 55次 閱讀
TC7652 400 kHz,單零漂移運算放大器